Модифікація електронних властивостей надтонких плівок β-Ga2O3 механічними впливами

Методами функцiонала електронної густини та псевдопотенцiалу, iз перших принципiв, з використанням авторського програмного коду отримано просторовi розподiли густини валентних електронiв, знайдено густини електронних станiв, ширини заборонених зон у надтонких плiвках β-Ga2O3 з рiзними вiльними поверхнями пiд впливом механiчного стиснення. Показано, що товщина плiвки β-Ga2O3, тип вiльної поверхнi плiвки та механiчна дiя стиснення дозволяють керувати провiдними властивостями надтонких плiвок β-Ga2O3.