Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов

Исследовано влияние ионизирующего облучения на образование зарядов на внутренней SiO2-Si (подложка) и внешней SiO2-Sips (затвор) межфазных границах (МФГ) и на пробой затвора МОП-транзисторов. Показано, что с увеличением дозы ионизирующего облучения вблизи внутренней межфазной границы в p- МОП-транзисторах наблюдается монотонный рост положительного заряда, а в n- МОП-транзисторах --- накопление сначала положительного, а при дозах свыше 105 рад --- отрицательного заряда. Вблизи внешней межфазной границы при малых дозах облучения наблюдается накопление положительного заряда, а при дозах > 106 рад --- накопление отрицательного заряда как в p-, так и n- МОП-транзисторах. Вплоть до дозы 108 рад ионизирующее облучение не оказывает заметного влияния на напряжение пробоя затвора как в p-, так и в n- МОП-транзисторах при обеих полярностях смещения. Отсутствие влияния объясняется пробоем по механизму анодной дырочной инжекции. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-транзистор, накопление заряда, пробой затвора.