Расчеты из первых принципов и экспериментальное исследование методом спектральной эллипсометрии электронных свойств монокристаллов CdGa-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-4-=/SUB=-

Электронные свойства монокристаллов CdGa2S4 исследованы экспериментально с использованием спектральной эллипсометрии, а также теоретически из первых принципов с использованием теории функционала плотности (DFT). С помощью эллипсометрических исследований в интервале энергий 0.7-6.5 eV определены мнимые и действительные части диэлектрической функции вдоль и перпендикулярно оптической оси, дисперсия коэффициентов преломления, экстинкции и поглощения. Оценена ширина прямой запрещенной зоны. Зонная структура, происхождение энергетических состояний, оптические функции и проецированные на атомы парциальные плотности состояний (PDoS) определены расчетами из первых принципов. Теоретически рассчитанные результаты сравнены с экспериментальными данными настоящей работы, полученными методом спектральной эллипсометрии. Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, эллипсометрические углы, диэлектрическая функция, коэффициент преломления, коэффициент экстинкции, зона Бриллюэна, зонная структура.