АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

В четвертой части обзора проанализированы данные по температурным зависимостям скоростей роста и плотности тонких пленок диоксида кремния (ТПДК) при атомно-слоевом осаждении с термической и плазменной активацией (ТА-АСО и ПА-АСО) и использованием различных реагентов-предшественников. Выделены характерные температурные диапазоны, в которых наблюдаются принципиальные отличия ростовых характеристик при ПА-АСО и ТА-АСО, а также плотности ТПДК.

РОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ МАТЕРИАЛОВ В ТЕХНОЛОГИИ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Рассмотрено влияние физико-химических свойств поверхности кристаллов на физические и химические свойства материалов. На примерах ряда технологических операций показано определяющее влияние физико-химических свойств поверхностей контактирующих материалов на результат воздействия и его анизотропию.

ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

В работе рассмотрены современные электронно-микроскопические и рентгеновские методы визуализации процесса распространения поверхностных акустических волн (ПАВ) в твердых телах. Применение данных методов позволяет визуализировать акустические волновые поля в режиме реального времени, исследовать взаимодействие ПАВ с дефектами кристаллической структуры, исследовать дифракционные явления в акустических пучках, определять скорости ПАВ и углы сноса потока акустической энергии.

СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ МОДЕЛЕЙ ПРОВОДИМОСТИ В МЕМРИСТИВНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК НИТРИДА КРЕМНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Нитрид кремния, включая нестехиометрический SiN (x < 4/3), остается базовым материалом в наноэлектронике, что делает актуальным исследование мемристоров на его основе. Нами проведен обзор современных работ в этой области с акцентом на выявленные их авторами механизмы и модели проводимости; проведена систематизация в табличной форме. Кратко рассмотрены физические принципы, положенные в основу семи используемых разными авторами моделей, и сделан вывод о необходимости разработки синтетической модели, валидной на всех участках петли гистерезиса вольтамперной характеристики. По сравнению с мемристорами на основе оксидов переходных металлов такая синтетическая модель обязательно должна учитывать: 1) прыжки носителей заряда между ловушками; 2) процессы зарядки/перезарядки ловушек; 3) изменения локальных характеристик (подвижность, диэлектрическая проницаемость, температура) при электрополевом воздействии.

УПРОЩЕННОЕ ОПИСАНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ТЕМНОЙ МОДЫ В ДИСКРЕТНОМ НАНОВОЛНОВОДЕ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Рассмотрена задача дальнего распространения электромагнитного возбуждения по линейной цепочке малых частиц в приближении ближайших соседей. Выведена приближенная формула для параметра волнового взаимодействия соседних частиц. Рассчитаны резонансные длины волн для Au-наносфер. Сопоставление с результатами точного расчета показало, что приближенная формула справедлива только для длин волн электромагнитного излучения, на которых мнимая часть диэлектрической проницаемости материала частиц имеет близкий к нулю минимум при отрицательной действительной части.

ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕТРАМЕТИЛАММОНИЯ ГИДРОКСИДА ТРЕБУЕМОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ И КАЧЕСТВА, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

В работе представлены результаты оптимизации технологии получения концентрата тетраметиламмония гидроксида (ТМАГ) мембранным электролизом водного раствора хлорида тетраметиламмония, полученные на опытно-промышленной установке.

МЕТОДЫ РАЗРАБОТКИ ОПТИМАЛЬНЫХ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕОРЕТИКО-МНОЖЕСТВЕННОГО ОПИСАНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Работа посвящена методам разработки оптимальных гетерогенных ПЛИС с использованием теоретико-множественного подхода. Представлен метод оценки эффективности использования площади кристалла ПЛИС. Описаны основные этапы маршрута проектирования специализированных гетерогенных ПЛИС и методы оценки требуемых параметров архитектуры ПЛИС на основе анализа пользовательских схем. Также представлен новый этап данного маршрута проектирования программируемых схем – программное прототипирование, который может быть использован для более точной оценки архитектуры ПЛИС.

БАРЬЕРНЫЕ СВОЙСТВА ОСТАТОЧНОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ НИЗКОВОЛЬТНЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ ДИФФУЗИЕЙ МЫШЬЯКА В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Исследовано негативное влияние толщины остаточного/естественного оксида кремния (SiO) в «окнах» защитного оксида кремния на результаты формирования низковольтных планарных p-n-структур высококонцентрационной диффузией As в в сильнолегированный кремний в условиях эвакуированной кварцевой ампулы: на величину и воспроизводимость величины напряжения пробоя (U) НВ p-n-переходов от процесса к процессу. Показано, что SiO толщиной свыше ~50 – практически непреодолимый барьер для достижения атомами мышьяка поверхности кремния, диффузии As в кремний. Для получения удовлетворительных результатов по величине и воспроизводимости величины электрических параметров низковольтных планарных p-n-структур, получаемых диффузией As из неограниченного источника в условиях эвакуированной ампулы, толщина SiO не должна превышать ~25 . Предложены технологические решения по ограничению толщины SiO.

КОМПОЗИЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ ГИДРОКСИАПАТИТ КАЛЬЦИЯ – УГЛЕВОЛОКНО, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Синтезированы композиционные материалы (КМ) на основе углеволокна (УВ) и биосовместимого гидроксиапатита кальция Ca(PO)(OH) (ГА) в ходе осаждения из водных растворов в системе Ca(OH)–HPO–УВ–HO. Определено влияние состава на морфологию нанокристаллов ГА (НКГА) и их растворимость в составе

ФОРМАЛИЗАЦИЯ ЭТАПА АВТОМАТИЧЕСКОЙ ТРАССИРОВКИ В МАРШРУТЕ ПРОЕКТИРОВАНИЯ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОГЕННЫХ РЕКОНФИГУРИРУЕМЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"

В статье представлен математический аппарат на основе теории множеств для описания соотношения между коммутационными ресурсами базовых кристаллов гетерогенных реконфигурируемых интегральных схем и требованиями проектных пользовательских схем. С использованием предложенных в работе терминологии и обозначений построена модель коммутационных ресурсов гетерогенной реконфигурируемой интегральной схемы, формализована задача трассировки межсоединений проектных схем в рамках классического маршрута проектирования. Предложенный математический аппарат разработан в связи с необходимостью оперативной настройки средств автоматизации проектирования на разные архитектуры и структурные элементы коммутационных ресурсов базовых кристаллов реконфигурируемых интегральных микросхем.