Electronic properties ofδ-doped Si:P and Ge:P layers in the high-density limit using a Thomas-Fermi method
J. S. Smith
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J. H. Cole
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S. P. Russo
1990 ◽
Vol 41
(12)
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2009 ◽
Vol 131
(24)
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pp. 241101
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Pierre-François Loos
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Peter M. W. Gill
1974 ◽
Vol 36
(4)
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pp. 255-262
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2011 ◽
Vol 8
(2)
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pp. 595-597
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Yuki Obara
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Keita Saitoh
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Masaru Oda
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Toshiro Tani
E. B. Manoukian
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S. Sirininlakul
1990 ◽
Vol 42
(4)
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Enrique Alvarez
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J. L. F. Barbón
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Agustín Nieto
2004 ◽
Vol 323
(5-6)
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pp. 427-433
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Luis Acedo
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Andrés Santos
2009 ◽
Vol 16
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pp. 012505
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M. E. Puiatti
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P. Scarin
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G. Spizzo
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M. Valisa
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R. Paccagnella
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1965 ◽
Vol 20
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pp. 20-25
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D. J. W. Geldart
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S. H. Vosko
1998 ◽
Vol 108
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pp. 9144-9149
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Thomas P. Witelski
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Alexander Yu. Grosberg
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Toyoichi Tanaka