ВЛИЯНИЕ ТИПОВ СТРУКТУР ДЛЯ СОВМЕЩЕНИЯ И ИЗМЕРЕНИЯ КОНТРОЛИРУЕМЫХ РАЗМЕРОВ НА ДОСТОВЕРНОСТЬ АТТЕСТАЦИИ ФОТОШАБЛОНОВ

Как известно, наиболее распространенным способом производства ИС является фотолитография. В связи с этим одним из наиболее важных критериев является точность изготовления комплекта фотошаблонов. Существует набор методик, с помощью которых происходит процесс аттестации ФШ. В данный набор, помимо прочего, входят процессы контроля критических размеров и исследования дефектов фотошаблона. Результаты данных исследований по большей части зависят от исходного выбора точек для измерений в рабочей области фотошаблона. Данная работа посвящена исследованию влияния различных типов измерительных структур на результат аттестации ФШ, а также разработке алгоритма поиска точек для измерения на кадре изображения ФШ. As is known, photolithography is the most common way to produce IC. In this connection, one of the most important criteria is manufacturing accuracy of the mask set. There is a set of techniques used for realizing a mask validation process. This set includes mask inspection processes such as critical dimension (CD) control and defect analysis. The results of these processes largely depend on the initial choice of points for measurements in the working area of the photomask. This article is dedicated to the study of the influence of various measurement structures on the photomask verification process, as well as to the development of measurement points search algorhythm.