Effect of germanium concentrations on tunnelling current calculation of Si/Si1-xGex/Si heterojunction bipolar transistor
2018 ◽
Vol 1013
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pp. 012174
L Hasanah
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E Suhendi
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Khairrurijal
1988 ◽
Vol 49
(C4)
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pp. C4-579-C4-582
J. G. METCALFE
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R. C. HAYES
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A. J. HOLDEN
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A. P. LONG
1990 ◽
Vol 26
(2)
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pp. 122
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J. Akagi
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Y. Kuriyama
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K. Morizuka
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M. Asaka
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K. Tsuda
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1990 ◽
Vol 26
(18)
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pp. 1501
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2002 ◽
Vol 38
(6)
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pp. 289
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B.P. Yan
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C.C. Hsu
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X.Q. Wang
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E.S. Yang
Leonardo Lucchesi
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Gaetano Calogero
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Gianluca Fiori
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Giuseppe Iannaccone
Shuxia Yan
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Shuang Zhang
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Yaoqian Zhang
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Xu Dong
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Weiguang Shi
J. Pankove
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S.S. Chang
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H.C. Lee
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R.J. Molnar
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T.D. Moustakas
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W.C. Liu
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W.C. Wang
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W.L. Chang
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K.H. Yu
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S.C. Feng
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1991 ◽
Vol 69
(2)
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pp. 698-703
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S. J. Pearton
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F. Ren
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P. W. Wisk
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T. R. Fullowan
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R. F. Kopf
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1999 ◽
Vol 39
(3)
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pp. 383-389
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