Досліджено електрофізичні властивості в надвисокочастотному діапазоні та на низьких частотах композитів на основі хімічно модифікованого йодидом міді високодисперсного оксиду магнію та поліхлортрифторетилена в інтервалі температур 25 - 170оС і концентрацій CuI від 0 до 0,80 об’ємних часток. Встановлено оптимальний об’ємний вміст йодиду міді (~ 0,75) в композитах CuI/MgO, при якому міжфазна взаємодія проявляється найбільш інтенсивно, а електрофізичні параметри набувають максимальних значень. Показано, що полімерні композити, до складу яких входить CuI/MgO, мають вищі значення дійсної та уявної складових комплексної діелектричної проникності та електропровідності в порівнянні з системою, яка не містить модифіковані компоненти.