Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн
2017 ◽
Vol 43
(22)
◽
pp. 48
Методами оптического зондирования при фемтосекундной лазерной накачке (optical pump-probe) и терагерцевой спектроскопии во временной области исследовано влияние эпитаксиальных напряжений на динамику неравновесных носителей заряда, а также спектр терагерцевого излучения в пленках InyGa1-yAs. Продемонстрировано снижение времени жизни неравновесных носителей заряда и увеличение ширины спектра терагерцевого излучения для пленки InyGa1-yAs с большим механическим напряжением. DOI: 10.21883/PJTF.2017.22.45260.16958
Keyword(s):
Keyword(s):
Keyword(s):
2019 ◽
Vol 290
◽
pp. 111194
◽
Keyword(s):