Рассматриваются архитектурные, схемотехнические и конструктивно-топологические особенности асинхронного радиационно стойкого ОЗУ 1657РУ2У емкостью 16 Мбит с организацией (1Мx16)/(2Mx8), изготавливаемого по коммерческой КМОП-технологии объемного кремния уровня 130 нм. СБИС ОЗУ нечувствительна к эффекту «защелкивания», имеет повышенные дозовую стойкость и сбоеустойчивость при воздействии отдельных ядерных частиц (ОЯЧ), протонов и нейтронов (ТЧ).
The paper highlights architectural, schematic and topological features of the radiation hardened 16 Mbit CMOS SRAM with configurable organization 1Mx16/2Mx8, which is immune to latch-up and with improved total dose and heavy particles tolerance.