Telah dilakukan penelitian mengenai pengaruh konsentrasi doping karbon pada lapisan tipis TiO2 yang ditumbuhkan dengan metode spray terhadap struktur kristal dan morfologi TiO2. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa penambahan doping karbon dapat meningkatkan ukuran butir. Lapisan TiO2 doping karbon 8% diperoleh ukuran butir terbesar adalah 1.35 μm, sedangkan ukuran tekecilnya adalah 0.45 μm. Sementara itu, untuk lapisan tipis TiO2 didoping karbon 15% memiliki ukuran butir terbesar yaitu 1.76 μm dan terkecil 0.9 μm. Hasil XRD menunjukkan seluruh puncak difraksi lapisan tipis TiO2 dengan doping karbon 8% dan 15% merupakan TiO2 anatase. Ukuran kristal lapisan TiO2 didoping karbon 8% diperoleh sebesar 638,08 Å dan untuk pendopingan 15% karbon ukuran kristal lapisan tipis TiO2 adalah 638,09 Å, hal ini menunjukkan ukuran kristal kedua sampel tidak mengalami perubahan yang signifikan.
TiO2 thin film with carbon doping has been successfully grown by spray method. The research on the effect of carbon doping on crystal structure and morfology of TiO2 has been prepared by varying carbon concentration (8% and 15% carbon). Analysis of SEM showed that the addition of carbon may increase the grain size. Thin film of TiO2 doped carbon 8% has the largest grain size 1.35 μm, while the smallest grain size is 0.45 μm. Meanwhile, for thin film TiO2 doped carbon 15% has the largest grain size 1.76 μm and smallest 0.9 μm. The XRD results showed the entire diffraction peak of thin film TiO2 doped carbon 8% and 15% were TiO2 anatase. The crystal size of thin film TiO2 doped carbon 8% was obtained at 638.08 Å and for thin film TiO2 doped carbon 15% the crystalline size of TiO2 thin film was 638.09 Å, this shows that the crystal size of both samples did not change significantly.
Pulse-induced resistive and capacitive switching in TiO2 thin film devices
