Electromagnetic Conductive Immunity of a Microcontroller by Direct Power Injection

Abstract. Many investigations have been published on the transferability of RF immunity test results between system and IC-levels. The RF signal level at DUT (Device under Test) inputs, i.e. either RF voltage amplitude or RF input current, is used as a reference value for the load on the DUT. Existing approaches analyze the DUT response as a function of the RF signal level at a single input pin, e.g. supply voltage. Sufficient accuracy of such an approach could be shown in several cases, but results are not sufficient as a general solution for complex DUT. This paper proposes both theoretical analysis and practical implementation of a DPI setup, where a disturbance, equivalent to system-level BCI setup, can be delivered to multiple DUT input ports.

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Design of a Wideband Multiplexer for Direct Power Injection on Non-DC Functional Signals

IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility ◽

10.1109/temc.2015.2405089 ◽

2015 ◽

Vol 57 (3) ◽

pp. 603-606

Author(s):

Mohamed Amellal ◽

Sjoerd Op t Land ◽

Richard Perdriaus ◽

Mohamed Ramdani ◽

Ali Ahaitouf ◽

...

Keyword(s):

Direct Power ◽

Power Injection

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Improved direct power injection model of 16-bit microcontroller for electromagnetic immunity prediction

Journal of Central South University of Technology ◽

10.1007/s11771-011-0938-5 ◽

2011 ◽

Vol 18 (6) ◽

pp. 2031-2035 ◽

Cited By ~ 2

Author(s):

Xue-lian Gao ◽

Cong-ying Tian ◽

Li-yuan Lao ◽

Yin-hong Chen ◽

Yan-yu Chen

Keyword(s):

Direct Power ◽

Power Injection ◽

Injection Model ◽

Electromagnetic Immunity

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Analyse unterschiedlicher Modellierungsvarianten des "Direct Power Injection" Verfahrens für die EMV Charakterisierung integrierter Schaltungen

Advances in Radio Science ◽

10.5194/ars-7-127-2009 ◽

2009 ◽

Vol 7 ◽

pp. 127-132

Author(s):

U. Stürmer ◽

S. Ritzmann ◽

O. Jovic ◽

W. Wilkening

Keyword(s):

Direct Power ◽

Mos Transistor ◽

Power Injection

Abstract. Dieser Beitrag analysiert zwei Ansätze zur Modellierung eines Teststandes zur Charakterisierung von integrierten Schaltungen mittels Direct Power Injection (DPI) auf einem Wafer. Die erste Variante ist zur Analyse bereits vorliegender integrierter Schaltungen nutzbar. Sie benötigt gemessene S-Parameterdaten, mit denen die an einem realen Messobjekt anliegenden Störspannungen frequenzabhängig bestimmt werden können. Die zweite Variante ist bereits anwendbar, bevor Silizium gefertigt worden ist. Sie modelliert einen Netzwerkanalysatorkanal der aus einer Signalquelle, einem Leistungsmesser und einem Verstärker mit nachgeschaltetem Richtkoppler und Entkoppelnetzwerken besteht. Zunächst werden die oben genannten verschiedenen Varianten der DPI-Streckenmodellierung dargestellt. Sie werden miteinander und anhand von Messdaten einer einfachen Teststruktur verglichen. Die Teststruktur besteht aus einem MOS-Transistor mit Arbeitswiderstand. Der Beitrag diskutiert Vor- und Nachteile der Varianten einschließlich Modellierungsaufwand und Simulationsgeschwindigkeit.

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