Growth and characterization of AlGaN/GaN/AlGaN double-heterojunction high-electron-mobility transistors on 100-mm Si(111) using ammonia-molecular beam epitaxy
2015 ◽
Vol 117
(2)
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pp. 025301
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L. Ravikiran
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N. Dharmarasu
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K. Radhakrishnan
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M. Agrawal
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Lin Yiding
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2002 ◽
Vol 49
(3)
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pp. 354-360
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Seong-June Jo
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Jeong Hoon Kim
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Jong-In Song
2000 ◽
Vol 47
(5)
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pp. 1115-1117
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S.F. Yoon
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B.P. Gay
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H.Q. Zheng
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H.T. Kam
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J. Degenhardt
1997 ◽
Vol 18
(11)
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pp. 550-552
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Y.C. Wang
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J.M. Kuo
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F. Ren
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J.R. Lothian
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J.S. Weiner
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1999 ◽
Vol 43
(11)
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pp. 2097-2101
S.F. Yoon
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B.P. Gay
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H.Q. Zheng
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H.T. Kam
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J. Degenhardt
1999 ◽
Vol 75
(23)
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pp. 3653-3655
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M. J. Murphy
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K. Chu
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H. Wu
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W. Yeo
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W. J. Schaff
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2008 ◽
Vol 103
(9)
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pp. 093529
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A. L. Corrion
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C. Poblenz
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F. Wu
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J. S. Speck
2016 ◽
Vol 109
(4)
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pp. 041602
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S. Joglekar
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M. Azize
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M. Beeler
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E. Monroy
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T. Palacios
2011 ◽
Vol 29
(3)
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pp. 03C107
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W. E. Hoke
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T. D. Kennedy
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J. J. Mosca
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A. J. Kerr
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A. Torabi
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2006 ◽
Vol E89-C
(7)
◽
pp. 906-912
◽
C.K. Peng
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W.H. Lan
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S.S. Chen
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S.L. Tu
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S.J. Yang
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