Электромагнитная совместимость интегральных микросхем становится все более важным аспектом в разработке высокоскоростных печатных плат. Международные стандарты были установлены для количественной и качественной оценки характеристик интегральных микросхем, а также помехоустойчивости с использованием различных методов измерения. Для решения задач, связанных с прогнозированием электромагнитных помех между интегральными микросхемами и печатными платами, необходимы модели интегральных микросхем как на внутриаппаратурном уровне, так и внутрисистемном. Такие модели могут быть получены из моделирования при наличии достаточной информации об интегральной микросхеме. Однако в большинстве практических случаев подробная информация об интегральных микросхемах может быть недоступна разработчикам радиоэлектронного оборудования. Предлагается улучшенная модель дипольного момента для анализа характеристик связи ближнего и дальнего электромагнитного поля от интегральной микросхемы, полученная на основе сканирования ближнего поля. Представлен массив электрических и магнитных дипольных моментов, используемых для воспроизведения распределений поля в плоскости сканирования над интегральной микросхемой. Полученные дипольные моменты могут использоваться в качестве источников излучений для интегральной микросхемы. Усовершенствованная модель дипольного момента особенно полезна для решения проблем радиочастотных помех, когда необходимо точно проанализировать шумовую связь в ближнем поле
Electromagnetic compatibility of integrated circuits is becoming an increasingly important aspect in the design of high-speed printed circuit boards. International standards have been established to quantitatively and qualitatively assess the performance of integrated circuits as well as noise immunity using a variety of measurement methods. To solve problems associated with predicting electromagnetic interference between integrated microcircuits and printed circuit boards, models of integrated microcircuits are needed both at the in-hardware and in-system levels. Such models can be obtained from simulations if there is sufficient information about the integrated circuit. However, in most practical cases, detailed information on integrated circuits may not be available to avionics designers. An improved model of the dipole moment is proposed for analyzing the characteristics of the coupling of the near and far electromagnetic fields from an integrated circuit, obtained on the basis of scanning the near field. An array of electric and magnetic dipole moments is presented, used to reproduce the field distributions in the scanning plane above an integrated microcircuit. The obtained dipole moments can be used as sources of radiation for an integrated circuit. The advanced dipole moment model is especially useful for solving RFI problems when it is necessary to accurately analyze noise communications in the near field
Characterization of Coupled Transmission Lines Used in Integrated Circuit Packaging on Printed Circuit Boards