Представляется сравнение СВЧ-ключей, проектируемых в разных конструктивно-технологических базисах: КНИ, КМОП, биполярные и GaAs. Определенные трудности существуют при разработке ключей на сверхвысоких частотах, в разных технологиях необходимо учитывать различные эффекты. Наличие паразитных эффектов сильно осложняет разработку. В статье приводится оценка влияния паразитных эффектов на основные параметры СВЧ-ключей в разных конструктивно-технологических базисах.
The paper offers a comparison of microwave keys designed in different structural and technological bases: SOI, CMOS, bipolar and GaAs. There are some difficulties in developing the keys to the ultra-high frequencies, in different technologies it is necessary to consider various effects. The presence of parasitic effects greatly complicates the development. The article provides an assessment of the influence of parasitic effects on the basic parameters of microwave keys in different structural and technological bases.