Magnetic and volume properties in CeRu2Si2 with low Ge doping

1996 ◽  
Vol 46 (S4) ◽  
pp. 2073-2074 ◽  
Author(s):  
Pierre Haen ◽  
Hamid Bioud ◽  
Serge Zherlitsyn ◽  
Stefan Holtmeier ◽  
Pascal Lejay ◽  
...  
Keyword(s):  
Author(s):  
A.R. Bazaev ◽  
◽  
I.M. Abdulagatov ◽  
E.A. Bazaev ◽  
B.K. Osmanova ◽  
...  

Методом сжимаемости с помощью безбалластного пьезометра постоянного объема получены значения p,T и p,,T-зависимостей тройной системы вода–1-пропанол–н-гексан состава 0.3333… мольных (0.1097, 0.3658, 0.5246 массовых) долей компонентов в двухфазной, однофазной (газовой, жидкой), околокритической и сверхкритической областях параметров состояния. По точкам изломов (изгибов) изохор фазовой диаграммы в p,T-координатах определены параметры фазовых превращений жидкость  пар и графоаналитическим методом, с учетом скейлингового поведения, параметры критического состояния системы. Установлена идентичность характера p,,T-зависимостей и вида фазовых диаграмм исследованной эквимолярной тройной системы и индивидуальной жидкости. Зависимость давления от плотности и температуры вдоль полученной кривой равновесия описана полиномиальным уравнением состояния – разложением фактора сжимаемости Z=р/RTρ в ряды по степеням приведенной плотности к и приведенной температуры =T/Tк вида: ; . Средняя относительная погрешность отклонений рассчитанных значений давления от экспериментальных не превышает 1.3%. Зависимость плотности от температуры вдоль кривой равновесия описана уравнениями вида: - вдали от критической точки, и - в симметричной части кривой равновесия, где τ=(Т-Тк)/Тк. Средняя относительная погрешность 1,4%.


2018 ◽  
Vol 76 (8) ◽  
pp. 4087-4101 ◽  
Author(s):  
Fatih Dumludag ◽  
Murat Y. Yener ◽  
Emre Basturk ◽  
Seyfullah Madakbas ◽  
Vezir Kahraman ◽  
...  

Author(s):  
Yufeng Li ◽  
Jianzhong Liu ◽  
Wenhao Liu ◽  
Xiyu Zhu ◽  
Hai-Hu Wen

2014 ◽  
Vol 53 (11) ◽  
pp. 117103
Author(s):  
Jitendra Kumar ◽  
Om Prakash ◽  
Ramakant Mahakud ◽  
Sachin Kumar Agrawal ◽  
Sudhir K. Dixit ◽  
...  

2009 ◽  
Vol 1194 ◽  
Author(s):  
Leonardo Miotti ◽  
Karen Paz Bastos ◽  
Cláudio Radtke ◽  
Gerald Lucovsky

AbstractThe stabilization of the tetragonal phase of 5 nm thick HfO2 films by Ge doping is investigated using x-ray absorption spectroscopy around O and Ge Kedges and by Rutherford backscattering spectrometry. We show that Ge concentrations higher than ˜5at.% are not stable during rapid thermal anneal at temperatures as low as 750°C and that the tetragonal phase of HfO2 is achieved at this Ge concentration.


RSC Advances ◽  
2016 ◽  
Vol 6 (115) ◽  
pp. 114825-114829 ◽  
Author(s):  
Tessera Alemneh Wubieneh ◽  
Cheng-Lung Chen ◽  
Pai Chun Wei ◽  
Szu-Yuan Chen ◽  
Yang-Yuan Chen

Ge doping enables to enhance the thermoelectric figure of merit of SnSe..


Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document