Представлены результаты исследований рамочной антенны, в которой подстроечным элементом является фоторезистор, управляемый лазерным излучением. Показано, что использование фоторезистора как элемента внешнего контура рамочной антенны, включенного последовательно, позволяет изменять согласование рамочной антенны с помощью внешнего лазерного источника. Представлены результаты исследований характеристик коэффициента передачи рамочных антенн, состоящих из медной фольги на диэлектрической основе и полупроводникового элемента. Установлено, что при изменении интенсивности лазерного излучения, падающего на полупроводниковый элемент-фоторезистор, изменяется коэффициент отражения рамочной антенны. В диапазоне от 10 МГц до 18ГГц получены зависимости коэффициентов отражения (Su)рамочных антенн с полупроводниковым элементом. Проведено сравнение рамочной антенны и рамочной антенны с фоторезистором.
The results of an experiment with a loop antenna, in which the building element is a photoresistor controlled by laser radiation, are presented. It is shown that the use of a photoresistor as an element of the external contour of a loop antenna connected in series makes it possible to change the matching of the loop antenna due to an external laser source. The results of studies of the characteristics of the transmission coefficient of loop antennas consisting of a dielectric copper foil and a semiconductor element are presented. It was found that when the intensity of the laser radiation incident on the semiconductor element-photoresistor changes, the reflection coefficient of the frame antenna changes. In the range of 10 MHz-18 GHz, the dependences of the reflection coefficients (S11) of loop antennas with a semiconductor element are obtained. A comparison is made between a loop antenna and a loop antenna with a photoresistor.
Experimental study of the influence of laser radiation power on the reflection coefficient of germanium and silicon at a wavelength of 355 nm
