Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells
Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debidamente evaluado a través de la variación de la tasa de captura de los huecos generados por radiación. Se considera un modelo analítico simplificado y se discuten sus limitaciones.
Keyword(s):
1971 ◽
Vol 18
(6)
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pp. 384-386
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Keyword(s):
1969 ◽
Vol 40
(12)
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pp. 4886-4892
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1978 ◽
Vol 25
(8)
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pp. 978-982
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