Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра
Thce results of investigations the effects various defects on the photo and electro- luminescence spectra ( intensity, value of longc wave of luminesce) structures n-ZnO/p-GaN were represented. .
Keyword(s):
2020 ◽
1999 ◽
Vol 101-103
◽
pp. 299-302
◽
2014 ◽
Vol 548-549
◽
pp. 124-128
◽
Keyword(s):
1987 ◽
Vol 17
(10)
◽
pp. 1289-1291
◽
2012 ◽
Vol 67
(3)
◽
pp. 213-218
◽
1991 ◽
Vol 167
(1)
◽
pp. 349-362
◽
Keyword(s):