Atomic layer deposition of ZrO2as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon
2013 ◽
Vol 103
(14)
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pp. 142109
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G. Ye
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H. Wang
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S. Arulkumaran
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G. I. Ng
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R. Hofstetter
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2017 ◽
Vol 56
(9)
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pp. 094101
Yu Sheng Chiu
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Quang Ho Luc
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Yueh Chin Lin
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Jui Chien Huang
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Chang Fu Dee
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2015 ◽
Vol 8
(8)
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pp. 084101
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Po-Chun Yeh
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Yun-Wei Lin
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Yue-Lin Huang
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Jui-Hung Hung
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Bo-Ren Lin
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2016 ◽
Vol 9
(7)
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pp. 071003
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Travis J. Anderson
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Virginia D. Wheeler
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David I. Shahin
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Marko J. Tadjer
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Andrew D. Koehler
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2015 ◽
Vol 107
(8)
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pp. 081608
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Xiaoye Qin
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Robert M. Wallace
2011 ◽
Vol 8
(7-8)
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pp. 2445-2447
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Casey Kirkpatrick
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Bongmook Lee
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Xiangyu Yang
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Veena Misra
Dong Xu
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Kanin Chu
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J. Diaz
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Wenhua Zhu
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R. Roy
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An-Jye Tzou
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Kuo-Hsiung Chu
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I-Feng Lin
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Erik Østreng
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Yung-Sheng Fang
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2015 ◽
Vol 36
(5)
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pp. 442-444
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Dong Xu
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K. K. Chu
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J. A. Diaz
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M. Ashman
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J. J. Komiak
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2014 ◽
Vol 104
(1)
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pp. 013506
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D. Gregušová
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M. Jurkovič
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Š. Haščík
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M. Blaho
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A. Seifertová
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2013 ◽
Vol 34
(6)
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pp. 744-746
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Dong Xu
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Kanin Chu
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Jose Diaz
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Wenhua Zhu
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Richard Roy
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