scholarly journals Instrumentação para medidas de mobilidade eletrônica e concentração de portadores em amostras semicondutoras, pelo método de van der Pauw

2021 ◽  
Vol 10 (6) ◽  
pp. e41310615229
Author(s):  
Luiz Henrique Ribeiro ◽  
Adhimar Flávio Oliveira ◽  
Rero Marques Rubinger

Neste trabalho apresentamos os resultados da construção de um equipamento, de baixo custo, para medidas medida Hall, utilizando a técnica de van der Pauw. Para isso, foi desenvolvido um sistema composto por uma placa eletrônica controlada por uma placa DAQ que juntamente com um software em Labview realiza a automação de todas as medidas necessárias. O sistema é capas de realizar todas as operações necessárias entre os contatos para realizar a técnica de van der Pauw e obter parâmetros como mobilidade eletrônica, concentração de portadores e resistividades elétrica em função da temperatura. Tais medidas são essenciais para estudar o comportamento eletrônico de amostras, visando sua aplicação em dispositivos eletrônicos. Para verificar o comportamento do sistema, foi utilizado uma amostra de Indium tin oxide (ITO). Nesses testes verificou-se que o os tempos de sincronização utilizados para as medidas apresentam resultados com baixo ruído e que a montagem permite a realização de medidas didáticas para disciplinas de pós-graduação e também de pesquisas desenvolvidas pelos alunos de pós-graduação.

2020 ◽  
Vol 13 (4) ◽  
pp. 722-727
Author(s):  
ZHU Ye-xin ◽  
◽  
◽  
LI Ya-nan ◽  
SHI Wei-jie ◽  
...  

1986 ◽  
Vol 22 (23) ◽  
pp. 1266 ◽  
Author(s):  
D.G. Parker ◽  
P.G. Say

The Analyst ◽  
1995 ◽  
Vol 120 (10) ◽  
pp. 2579-2583 ◽  
Author(s):  
Xiaohua Cai ◽  
Božidar Ogorevc ◽  
Gabrijela Tavčar ◽  
Joseph Wang

2021 ◽  
pp. 138731
Author(s):  
Bert Scheffel ◽  
Olaf Zywitzki ◽  
Thomas Preußner ◽  
Torsten Kopte

Crystals ◽  
2020 ◽  
Vol 11 (1) ◽  
pp. 30
Author(s):  
Xiaoyan Liu ◽  
Lei Wang ◽  
Yi Tong

First-principle density functional theory simulations have been performed to predict the electronic structures and optoelectronic properties of ultrathin indium tin oxide (ITO) films, having different thicknesses and temperatures. Our results and analysis led us to predict that the physical properties of ultrathin films of ITO have a direct relation with film thickness rather than temperature. Moreover, we found that a thin film of ITO (1 nm thickness) has a larger absorption coefficient, lower reflectivity, and higher transmittance in the visible light region compared with that of 2 and 3 nm thick ITO films. We suggest that this might be due to the stronger surface strain effect in 1 nm thick ITO film. On the other hand, all three thin films produce similar optical spectra. Finally, excellent agreement was found between the calculated electrical resistivities of the ultrathin film of ITO and that of its experimental data. It is concluded that the electrical resistivities reduce along with the increase in film thickness of ITO because of the short strain length and limited bandgap distributions.


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