A Segmented Mach-Zehnder Modulators Driver in 0.13 µm SiGe BiCMOS with an Output Swing of 3 Vppd at 25 Gb/s

Author(s):  
Jun Huang ◽  
Dezhi Xing ◽  
Shuai Tang ◽  
Fangyuan Ren ◽  
Yao Wang
Keyword(s):  
2020 ◽  
Vol 96 (3s) ◽  
pp. 612-614
Author(s):  
В.В. Елесина ◽  
И.О. Метелкин

Проведен анализ случаев возникновения тиристорного эффекта в СВЧ ИС, изготовленных по технологии SiGe БиКМОП, при воздействии ионизирующего излучения. Рассмотрены области СВЧ ИС, чувствительные к возникновению ТЭ, определены основные параметры тиристорных структур. Проведена апробация подхода к восстановлению параметров схемно-топологической радиационно-ориентированной модели тиристорной структуры для САПР. The paper analyzes ionizing radiation induced latchup in microwave SiGe BiCMOS integrated circuits (ICs). Critical parts of ICs sensitive to latchup have been identified and basic parameters of corresponding parasitic thyristor structures have been determined. An approach has been approved to the thyristor structure compact model parameters extraction procedure intended for use in CAD systems.


Author(s):  
Aniello Franzese ◽  
Mohamed H. Eissa ◽  
Thomas Mausolf ◽  
Dietmar Kissinger ◽  
Renato Negra ◽  
...  
Keyword(s):  

2020 ◽  
Vol 30 (12) ◽  
pp. 1161-1164
Author(s):  
Alper Guner ◽  
Thomas Mausolf ◽  
Jan Wessel ◽  
Dietmar Kissinger ◽  
Klaus Schmalz
Keyword(s):  

2021 ◽  
Vol 68 (4) ◽  
pp. 1439-1445
Author(s):  
Hanbin Ying ◽  
Jeffrey W. Teng ◽  
John D. Cressler

Author(s):  
Arya Moradinia ◽  
Rafael P. Martinez ◽  
Jeffrey W. Teng ◽  
Nelson Sepulveda-Ramos ◽  
Harrison Lee ◽  
...  

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document