Nanoscale Devices and Novel Engineered Materials

2001 ◽  
Author(s):  
S. J. Pearton ◽  
P. H. Holloway ◽  
R. K. Singh ◽  
A. F. Hebard ◽  
S. Hershfield
2021 ◽  
pp. 1-1
Author(s):  
Siying Zheng ◽  
Jiuren Zhou ◽  
Harshit Agarwal ◽  
Jian Tang ◽  
Hongrui Zhang ◽  
...  

2021 ◽  
pp. 1-11
Author(s):  
Chao-Wei Hung ◽  
Nirmal Mazumder ◽  
Dan-Jae Lin ◽  
Wei-Liang Chen ◽  
Shih-Ting Lin ◽  
...  

Abstract


2021 ◽  
Author(s):  
Марина Евгеньевна Сычева ◽  
Светлана Анатольевна Микаева

В статье рассмотрены основные типы CNTFET транзисторов, изготовленных на углеродных нанотрубках. Представлена классификация, особенности конструкции и основные этапы технологии изготовления CNTFET транзисторов. Полевые транзисторы из углеродных нанотрубок (CNTFET) являются перспективными наноразмерными устройствами для реализации высокопроизводительных схем с очень плотной и низкой мощностью. The article considers the main types of CNTFET transistors made on carbon nanotubes. The classification, design features and the main stages of the CNTFET transistor manufacturing technology are presented. Carbon nanotube field effect transistors (CNTFET) are promising nanoscale devices for implementing high-performance circuits with very dense and low power.


Author(s):  
Марина Евгеньевна Сычева ◽  
Светлана Анатольевна Микаева

В статье рассмотрены нанотранзисторы и основные свойства нанотрубок. Представлен обзор CNTFET транзисторов и основные особенности технологии их изготовления. Полевые транзисторы из углеродных нанотрубок (CNTFET) являются перспективными наноразмерными устройствами для реализации высокопроизводительных схем с очень плотной и низкой мощностью. Проводящий канал CNTFET представляет собой углеродную нанотрубку. The article deals with nanotransistors and the main properties of nanotubes. An overview of CNTFET transistors and the main features of their manufacturing technology is presented. Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) are promising nanoscale devices for implementing high-performance circuits with very dense and low power. The CNTFET conducting channel is a carbon nanotube.


2017 ◽  
Vol 2017 ◽  
pp. 1-2
Author(s):  
Sutasn Thipprakmas ◽  
Man S. Joun ◽  
Lars-Erik Lindgren

2006 ◽  
Vol 14 (3) ◽  
Author(s):  
R. Noskov ◽  
A. Zharov

AbstractWe study theoretically a nonlinear response of the planar metal/dielectric nanostructures constituted from periodical array of ultra thin silver layers and the layers of Kerr-like nonlinear dielectric. We predict hysteresis-type dependences of the components of the tensor of effective dielectric permittivity on the field intensity allowing the change in material transmission properties from transparent to opaque and back at extremely low intensities of the light. It makes possible to control the light by light in all-optical nanoscale devices and circuits.


Author(s):  
Árpád I. Csurgay ◽  
Wolfgang Porod
Keyword(s):  

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document