scholarly journals ANALISIS PERBANDINGAN KINERJA H-BRIDGE DRIVER MENGGUNAKAN IGBT DAN MOSFET PADA SISTEM KEMUDI STEER BY WIRE

2018 ◽  
Vol 3 (1) ◽  
pp. 73
Author(s):  
Yusuf Eko Prasetyo ◽  
Fatkhur Rohman
Keyword(s):  
Metal Oxide ◽  
Field Effect ◽  
Field Effect Transistor ◽  
Metal Oxide Semiconductor ◽  
Bipolar Transistor ◽  
Oxide Semiconductor ◽  
Electronic Control ◽  
Insulated Gate Bipolar Transistor ◽  
Steer By Wire ◽  
Effect Transistor

Steer By Wire (SBW) adalah teknologi sistem kemudi terbaru yang menerapkan konsep independen dan full electronic control. Hal ini menyebabkan sistem SBW dapat menghasilkan pengemudian yang lebih responsive, akurat, dan aman bagi pengemudi. Sudah banyak pengembangan dan simulasi untuk membuktikan keunggulan dari sistem kemudi SBW sehingga dapat digunakan disemua kendaraan. Agar dapat merealisasikan sistem ini maka dibutuhkan driver sebagai pengendali motor DC. Saat ini terdapat dua komponen semi konduktor yang sangat populer digunakan sebagai driver yaitu Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) dan Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(MOSFET). Tujuan dari penelitian ini adalah untuk menganalisis dan membandingkan kinerja Motor DC 12V sebagai aktuator sistem SBW yang menggunakan driver IGBT dengan driver MOSFET. Metode penelitian yang digunakan adalah analisis kuantitatif komparatif yaitu dengan membandingkan kinerja motor DC 12V ketika menggunakan driver IGBT dan ketikamenggunakan driver MOSFET. Variabel bebas yang digunakan adalah kecepatan mobil listrik autron dan Beban pengemudi. Sedangkan variabel tetapnya adalah besar sudut belok roda. Hasil dari penelitian ini adalah menyatakan bahwa kinerja motor DC 12V lebih baik menggunakan driver MOSFET jika dibandingkan dengan menggunakan driver IGBT SteerByWire(SBW)adalah teknologisistem kemuditerbaruyangmenerapkankonsep independendanfullelectroniccontrol.HalinimenyebabkansistemSBWdapatmenghasilkan pengemudianyang lebih responsive,akurat,danamanbagipengemudi.Sudahbanyak pengembangandansimulasiuntuk membuktikankeunggulandarisistemkemudiSBW sehinggadapatdigunakandisemuakendaraan.Agardapatmerealisasikansistem inimaka dibutuhkan  driversebagaipengendalimotor  DC.Saatiniterdapatduakomponensemi konduktor yang sangatpopuler digunakan sebagaidriver yaitu Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)danMetalOxideSemiconductorField EffectTransistor(MOSFET). TujuandaripenelitianiniadalahuntukmenganalisisdanmembandingkankinerjaMotorDC 12VsebagaiaktuatorsistemSBW yang menggunakandriverIGBTdengandriverMOSFET. Metode  penelitian  yang  digunakan  adalah  analisis  kuantitatif  komparatif  yaitu  dengan membandingkankinerja  motor  DC  12V  ketika  menggunakan  driver  IGBT  dan  ketika menggunakandriverMOSFET.Variabelbebasyangdigunakanadalahkecepatanmobillistrik autrondanBebanpengemudi.Sedangkanvariabeltetapnyaadalahbesarsudutbelok roda. Hasildaripenelitian iniadalahmenyatakanbahwa kinerjamotorDC12Vlebihbaik menggunakandriverMOSFET jika dibandingkan denganmenggunakandriverIGBT

Improving the accuracy of the charge-sheet model for the long-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistor

1987 ◽  
Vol 65 (8) ◽  
pp. 995-998
Author(s):  
N. G. Tarr
Keyword(s):  
Metal Oxide ◽  
Field Effect ◽  
Field Effect Transistor ◽  
Inversion Layer ◽  
Potential Drop ◽  
Metal Oxide Semiconductor ◽  
Oxide Semiconductor ◽  
Analytic Approximation ◽  
Effect Transistor ◽  
Long Channel

It is shown that the accuracy of the charge-sheet model for the long-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor can be improved by allowing for the small potential drop across the inversion layer, and by using a more accurate analytic approximation for the charge stored in the depletion region.

Effect of Metal - Silicon Nanowire Contacts on the Performance of Accumulation Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

2008 ◽  
Vol 1144 ◽  
Author(s):  
Pranav Garg ◽  
Yi Hong ◽  
Md. Mash-Hud Iqbal ◽  
Stephen J. Fonash
Keyword(s):  
Metal Oxide ◽  
Silicon Nanowires ◽  
Field Effect ◽  
Field Effect Transistor ◽  
Silicon Nanowire ◽  
Metal Oxide Semiconductor ◽  
Oxide Semiconductor ◽  
Manufacturing Cost ◽  
Effect Transistor ◽  
The Impact

ABSTRACTRecently, we have experimentally demonstrated a very simply structured unipolar accumulation-type metal oxide semiconductor field effect transistor (AMOSFET) using grow-in-place silicon nanowires. The AMOSFET consists of a single doping type nanowire, metal source and drain contacts which are separated by a partially gated region. Despite its simple configuration, it is capable of high performance thereby offering the potential of a low manufacturing-cost transistor. Since the quality of the metal/semiconductor ohmic source and drain contacts impacts AMOSFET performance, we repot here on initial exploration of contact variations and of the impact of thermal process history. With process optimization, current on/off ratios of 106 and subthreshold swings of 70 mV/dec have been achieved with these simple devices

Metal-oxide-semiconductor field effect transistor humidity sensor using surface conductance

2012 ◽  
Vol 100 (10) ◽  
pp. 101603 ◽  
Author(s):  
Seok-Ho Song ◽  
Hyun-Ho Yang ◽  
Chang-Hoon Han ◽  
Seung-Deok Ko ◽  
Seok-Hee Lee ◽  
...  
Keyword(s):  
Metal Oxide ◽  
Field Effect ◽  
Field Effect Transistor ◽  
Humidity Sensor ◽  
Metal Oxide Semiconductor ◽  
Oxide Semiconductor ◽  
Surface Conductance ◽  
Effect Transistor
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document