MOS Transistors on SOI Substrate: On-Wafer Measurement for Small-Signal Parameters Extraction Procedure

1999 ◽  
Author(s):  
A. Bracale ◽  
N. Fel ◽  
V. Ferlet-Cavrois ◽  
D. Pasquet ◽  
J.L. Gautier ◽  
...  
Keyword(s):  
Extraction Procedure ◽  
Small Signal ◽  
Mos Transistors ◽  
Signal Parameters ◽  
Parameters Extraction

Small Signal Parameters Extraction for Silicon MOS Transistors

2000 ◽  
Author(s):  
A. Bracale ◽  
D. Pasquet ◽  
J.L. Gautier ◽  
V. Ferlet ◽  
N. Fel ◽  
...  
Keyword(s):  
Small Signal ◽  
Mos Transistors ◽  
Signal Parameters ◽  
Parameters Extraction

scholarly journals Small-signal parameters extraction and noise analysis of CNTFETs

2020 ◽  
Vol 35 (4) ◽  
pp. 045024
Author(s):  
Javier N Ramos-Silva ◽  
Aníbal Pacheco-Sánchez ◽  
Mauro A Enciso-Aguilar ◽  
David Jiménez ◽  
Eloy Ramírez-García
Keyword(s):  
Noise Analysis ◽  
Small Signal ◽  
Signal Parameters ◽  
Parameters Extraction

ТИРИСТОРНЫЙ ЭФФЕКТ В СВЧ ИС, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ПО SIGE БИКМОП-ТЕХНОЛОГИЯМ

2020 ◽  
Vol 96 (3s) ◽  
pp. 612-614
Author(s):  
В.В. Елесина ◽  
И.О. Метелкин
Keyword(s):  
Integrated Circuits ◽  
Extraction Procedure ◽  
Compact Model ◽  
Model Parameters ◽  
Cad Systems ◽  
Parameters Extraction ◽  
Sige Bicmos ◽  
Bicmos Integrated Circuits ◽  
Basic Parameters ◽  
Radiation Induced

Проведен анализ случаев возникновения тиристорного эффекта в СВЧ ИС, изготовленных по технологии SiGe БиКМОП, при воздействии ионизирующего излучения. Рассмотрены области СВЧ ИС, чувствительные к возникновению ТЭ, определены основные параметры тиристорных структур. Проведена апробация подхода к восстановлению параметров схемно-топологической радиационно-ориентированной модели тиристорной структуры для САПР. The paper analyzes ionizing radiation induced latchup in microwave SiGe BiCMOS integrated circuits (ICs). Critical parts of ICs sensitive to latchup have been identified and basic parameters of corresponding parasitic thyristor structures have been determined. An approach has been approved to the thyristor structure compact model parameters extraction procedure intended for use in CAD systems.

A rigorous peeling algorithm for direct parameter extraction procedure of HBT small-signal equivalent circuit

2015 ◽  
Vol 85 (3) ◽  
pp. 405-411 ◽  
Author(s):  
Zhang Jincan ◽  
Liu Bo ◽  
Zhang Leiming ◽  
Sun Ligong ◽  
Wang Jinchan ◽  
...  
Keyword(s):  
Equivalent Circuit ◽  
Extraction Procedure ◽  
Parameter Extraction ◽  
Small Signal
Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document