A RADIOLOGIA ODONTOLÓGICA DIGITAL NO ESQUADRÃO DE SAÚDE DE FLORIANÓPOLIS: RELATO DE CASO

Author(s):  
Fabrizia Henriques Bonates ◽  
Maura Helena Jardim Vendramin

O presente artigo relata como foi implementada a Radiologia Digital na Seção de Odontologia do Esquadrão de Saúde de Florianópolis (ES-FL). O objetivo foi a necessidade de modernização dos equipamentos de radiodiagnóstico odontológico existentes, tornando-os digitais. Para tanto, foram analisadas as opções de sistemas digitais existentes e as vantagens dos sistemas CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) e PSP (Photostimulable Phosphor Plate), considerando-se, além de seus aspectos técnicos, também os aspectos de biossegurança, de sustentabilidade e jurídicos. Após análise dos dados e comparação dos preços encontrados por intermédio de processo licitatório, optou-se pelo sistema PSP, que apresentava maior vantajosidade. Constatou-se que a implantação da Radiologia Digital no ES-FL trouxe inúmeras vantagens aos pacientes e profissionais da instituição, tais como a diminuição na dose de exposição do paciente, a possibilidade de manipulação das imagens para aprimorar o diagnóstico, a facilidade de comunicação com os pacientes e entre profissionais, além do impacto ambiental positivo, atendimento célere aos pacientes e radioproteção ao usuário, ao profissional e à equipe.

2021 ◽  
Vol 50 (16) ◽  
pp. 5540-5551
Author(s):  
Almudena Notario-Estévez ◽  
Xavier López ◽  
Coen de Graaf

This computational study presents the molecular conduction properties of polyoxovanadates V6O19 (Lindqvist-type) and V18O42, as possible successors of the materials currently in use in complementary metal–oxide semiconductor (CMOS) technology.


Sensors ◽  
2021 ◽  
Vol 21 (5) ◽  
pp. 1683
Author(s):  
Winai Jaikla ◽  
Fabian Khateb ◽  
Tomasz Kulej ◽  
Koson Pitaksuttayaprot

This paper proposes the simulated and experimental results of a universal filter using the voltage differencing differential difference amplifier (VDDDA). Unlike the previous complementary metal oxide semiconductor (CMOS) structures of VDDDA that is present in the literature, the present one is compact and simple, owing to the employment of the multiple-input metal oxide semiconductor (MOS) transistor technique. The presented filter employs two VDDDAs, one resistor and two grounded capacitors, and it offers low-pass: LP, band-pass: BP, band-reject: BR, high-pass: HP and all-pass: AP responses with a unity passband voltage gain. The proposed universal voltage mode filter has high input impedances and low output impedance. The natural frequency and bandwidth are orthogonally controlled by using separated transconductance without affecting the passband voltage gain. For a BP filter, the root mean square (RMS) of the equivalent output noise is 46 µV, and the third intermodulation distortion (IMD3) is −49.5 dB for an input signal with a peak-to peak of 600 mV, which results in a dynamic range (DR) of 73.2 dB. The filter was designed and simulated in the Cadence environment using a 0.18-µm CMOS process from Taiwan semiconductor manufacturing company (TSMC). In addition, the experimental results were obtained by using the available commercial components LM13700 and AD830. The simulation results are in agreement with the experimental one that confirmed the advantages of the filter.


1998 ◽  
Vol 37 (Part 1, No. 3B) ◽  
pp. 1050-1053 ◽  
Author(s):  
Masayasu Miyake ◽  
Toshio Kobayashi ◽  
Yutaka Sakakibara ◽  
Kimiyoshi Deguchi ◽  
Mitsutoshi Takahashi

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