Importancia de la estadística aplicada para la toma de decisiones en marketing

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Analysis of Te Inclusion Striations in (Cd,Zn)Te Crystals Grown by Traveling Heater Method

The growth of (Cd,Zn)Te (CZT) crystals and the improvement of the crystal quality are part of a research project towards experiments under microgravity using the Traveling Heater Method (THM). In order to determine the experimental parameters, we performed a detailed ground-based program. Three CZT crystals with a nominal Zn content of 10% were grown using THM from a Te-rich solution. The size and distribution of the Te inclusions were evaluated by transmission infrared microscopy (IR). From the three-dimensional mapping of the inclusions, we observed striation-like patterns in all of the crystals. The correlation between the growth parameters and the formation of these striations was explored and discussed. We found that the inclusion striations are related to periodic temperature variations.

Modeling of diffusion motion of In nanoparticles in a CdTe crystal during laser-induced doping

In order to solve the problem of the ohmic contact between the crystal surface and the metal electrode in the manufacturing process of the X/γ-ray detector, this paper uses a laser to probe the doping process of In/CdTe crystals in different media. In this experiment, the Traveling Heater Method (THM) is used to obtain CdTe(111) crystals that meet the requirements (ρ >109Ω∙cm). In and Au materials are respectively coated on the surface of the crystal sample by the vacuum thermal evaporation method to obtain the crystal sample meeting the requirements. The high-resistance p-type CdTe crystal of a relatively thick In film is irradiated with nanosecond laser pulses, the In film is used as an n-type doping source and as an electrode after laser irradiation.

Solution growth of chalcopyrite Cu(In1−x Ga x )Se2 single crystals for high open-circuit voltage photovoltaic device

I–III–VI2 Chalcopyrite Cu(In1−x Ga x )Se2 (CIGS) has attracted attention as absorbing layer in photovoltaic (PV) device. In this study, we investigated the fundamental properties of CIGS single crystals, and fabricated single crystal-based PV device. CIGS single crystals without secondary phase were successfully grown by In-solvent traveling heater method (THM). The conversion of conduction type from n- to p-type can be observed above 0.3 of Ga ratio x because of high acceptor defect concentration. PV device based on high-quality CIGS bulk single crystal demonstrates high open-circuit voltage of 0.765 V with the efficiency of 12.6%.