PD-SOI CMOS and SiGe BiCMOS Technologies for 5G and 6G communications

Представляется сравнение СВЧ-ключей, проектируемых в разных конструктивно-технологических базисах: КНИ, КМОП, биполярные и GaAs. Определенные трудности существуют при разработке ключей на сверхвысоких частотах, в разных технологиях необходимо учитывать различные эффекты. Наличие паразитных эффектов сильно осложняет разработку. В статье приводится оценка влияния паразитных эффектов на основные параметры СВЧ-ключей в разных конструктивно-технологических базисах. The paper offers a comparison of microwave keys designed in different structural and technological bases: SOI, CMOS, bipolar and GaAs. There are some difficulties in developing the keys to the ultra-high frequencies, in different technologies it is necessary to consider various effects. The presence of parasitic effects greatly complicates the development. The article provides an assessment of the influence of parasitic effects on the basic parameters of microwave keys in different structural and technological bases.

Download Full-text

ТИРИСТОРНЫЙ ЭФФЕКТ В СВЧ ИС, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ПО SIGE БИКМОП-ТЕХНОЛОГИЯМ

Nanoindustry Russia ◽

10.22184/1993-8578.2020.13.3s.612.614 ◽

2020 ◽

Vol 96 (3s) ◽

pp. 612-614

Author(s):

В.В. Елесина ◽

И.О. Метелкин

Keyword(s):

Integrated Circuits ◽

Extraction Procedure ◽

Compact Model ◽

Model Parameters ◽

Cad Systems ◽

Parameters Extraction ◽

Sige Bicmos ◽

Bicmos Integrated Circuits ◽

Basic Parameters ◽

Radiation Induced

Проведен анализ случаев возникновения тиристорного эффекта в СВЧ ИС, изготовленных по технологии SiGe БиКМОП, при воздействии ионизирующего излучения. Рассмотрены области СВЧ ИС, чувствительные к возникновению ТЭ, определены основные параметры тиристорных структур. Проведена апробация подхода к восстановлению параметров схемно-топологической радиационно-ориентированной модели тиристорной структуры для САПР. The paper analyzes ionizing radiation induced latchup in microwave SiGe BiCMOS integrated circuits (ICs). Critical parts of ICs sensitive to latchup have been identified and basic parameters of corresponding parasitic thyristor structures have been determined. An approach has been approved to the thyristor structure compact model parameters extraction procedure intended for use in CAD systems.

Download Full-text