Very High Speed Integrated Circuits (VHSIC). Phase 2. Submicrometer Technology Development, Interoperability Standards

1988 ◽  
Author(s):  
Dale Rickard ◽  
George Anderson ◽  
George McIver
Keyword(s):  
Integrated Circuits ◽  
High Speed ◽  
Technology Development ◽  
Phase 2 ◽  
Very High

Structural changes in silicon-on-insulator material during post-implantation annealing

1986 ◽  
Vol 44 ◽  
pp. 736-737
Author(s):  
C. O. Jung ◽  
S. J. Krause ◽  
S.R. Wilson
Keyword(s):  
Integrated Circuits ◽  
Oxide Layer ◽  
High Speed ◽  
Structural Changes ◽  
Device Fabrication ◽  
Silicon On Insulator ◽  
High Quality ◽  
Radiation Hardened ◽  
Post Implantation ◽  
Very High

Silicon-on-insulator (SOI) structures have excellent potential for future use in radiation hardened and high speed integrated circuits. For device fabrication in SOI material a high quality superficial Si layer above a buried oxide layer is required. Recently, Celler et al. reported that post-implantation annealing of oxygen implanted SOI at very high temperatures would eliminate virtually all defects and precipiates in the superficial Si layer. In this work we are reporting on the effect of three different post implantation annealing cycles on the structure of oxygen implanted SOI samples which were implanted under the same conditions.

III-V HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS

1990 ◽  
Vol 01 (03n04) ◽  
pp. 245-301 ◽  
Author(s):  
M.F. CHANG ◽  
P.M. ASBECK
Keyword(s):  
Integrated Circuits ◽  
Heterojunction Bipolar Transistors ◽  
High Speed ◽  
High Performance ◽  
Growth Parameters ◽  
Bipolar Transistors ◽  
System Requirements ◽  
Potential Impact ◽  
Computational Systems ◽  
Very High

Recent advances in communication, radar and computational systems demand very high performance electronic circuits. Heterojunction bipolar transistors (HBTs) have the potential of providing a more efficient solution to many key system requirements through intrinsic device advantages than competing technologies. This paper reviews the present status of GaAs and InP-based HBT technologies and their applications to digital, analog, microwave and multifunction circuits. It begins with a brief review of HBT device concepts and critical epitaxial growth parameters. Issues important for device modeling and fabrication technologies are discussed. The paper then highlights the performance and the potential impact of HBT devices and integrated circuits in various application areas. Key prospects for future HBT development are also addressed.

Ψηφιακή σχεδίαση και υλοποίηση κάρτας κρυπτογράφησης για μυστική επικοινωνία βασισμένη σε FPGA τεχνολογία

2009 ◽  
Author(s):  
Παναγιώτης Μαργαρώνης
Keyword(s):  
Integrated Circuits ◽  
High Speed ◽  
Linear Feedback ◽  
Description Language ◽  
Gate Arrays ◽  
Field Programmable ◽  
Programmable Gate Arrays ◽  
Hardware Description ◽  
Feedback Shift Register ◽  
Very High

Η παρούσα διατριβή παρουσιάζει τη διαδικασία σχεδίασης και υλοποίησης μιας ολοκληρωμένης και αυτόνομης κάρτας κρυπτογράφησης. Η συγκεκριμένη κάρτα έχει ονομαστεί LAM και εισάγει ένα ψηφιακό ολοκληρωμένο κύκλωμα το οποίο βασίζεται στο Peripheral Component Interconnection (PCI) δίαυλο. Η υλοποίηση της παραπάνω κάρτας κρυπτογράφησης σχεδιάστηκε με τη χρήση προγραμματιζόμενου ολοκληρωμένου κυκλώματος Field Programmable Gate Arrays (FPGA). Ο αντικειμενικός σκοπός της διατριβής είναι να προσφέρει σε βάθος γνώση αναφορικά με τη διαδικασία σχεδίασης και υλοποίησης ενός ψηφιακού κυκλώματος κρυπτογράφησης που βασίζεται στην τεχνολογία των ολοκληρωμένων προγραμματιζόμενων κυκλωμάτων FPGA με χρήση της γλώσσας περιγραφής υλικού Very High Speed Integrated Circuits Hardware Description Language (VHDL). Το συγκεκριμένο ψηφιακό κύκλωμα μπορεί να αξιοποιηθεί σαν κάρτα προσωπικού υπολογιστή. Η προαναφερόμενη κάρτα σχεδιάστηκε και υλοποιήθηκε σαν μια ολοκληρωμένη διαφανής συσκευή με δυνατότητα συμμετρικής κρυπτογράφησης/αποκρυπτογράφησης, ενσωματώνοντας ένα σύστημα δημιουργίας και διαχείρισης κλειδιών κρυπτογράφησης καθώς και συγχρονισμού με άλλες επικοινωνούντες συσκευές. Για την εκπόνηση της διατριβής πραγματοποιήθηκε μελέτη στα παρακάτω ερευνητικά πεδία. Στο πρώτο στάδιο μελετήθηκαν τα κυκλώματα FPGA, η γλώσσα περιγραφής υλικού VHDL, η κατανομή και ο χώρος σχεδίασης που περιλαμβάνει η υλοποίηση του κυκλώματος εσωτερικά στο Chip και τα εργαλεία υλοποίησης και ανάπτυξης. Στο δεύτερο στάδιο έγινε μελέτη των αρχών μετάδοσης δεδομένων μέσω του Internet, της κάρτας διασύνδεσης Ethernet και της επικοινωνίας πραγματικού χρόνου μέσω TCP/IP πρωτοκόλλου. Στο τρίτο στάδιο πραγματοποιήθηκε μελέτη στο μετασχηματισμό και μεταφορά κλειδιών από εξωτερική μνήμη στην εσωτερική μνήμη της κάρτας κρυπτογράφησης με τη βοήθεια Linear Feedback Shift Register (LFSR), στον προγραμματισμό LFSR και στην επιλογή κλειδιών (αδύναμα κλειδιά). Στο τέταρτο στάδιο μελετήθηκαν ερευνητικά θέματα που άπτονται της δημιουργίας και διαχείρισης κλειδιών συμμετρικής κρυπτογραφίας. Έπειτα έγινε μελέτη στη μετάδοση ψηφιακών δεδομένων μέσω πρωτοκόλλων DVB/DAB. Στη συνέχεια μελετήθηκε η εξουσιοδότηση χρήστη με Έξυπνες Κάρτες (Smart Cards) και το πρωτόκολλο ανάγνωσης των έξυπνων καρτών. Επιπλέον μελετήθηκαν η αρχιτεκτονική, οι αρχές επικοινωνίας του PCI διαύλου και ο χρονισμός του συστήματος, ενώ έγινε και ανάλυση των υπαρχόντων συμμετρικών αλγορίθμων κρυπτογράφησης που έχουν υλοποιηθεί σε επίπεδο υλικού. Ένα ακόμη πεδίο μελέτης υπήρξε ο συγχρονισμός των καρτών κρυπτογράφησης σε απομακρυσμένα συστήματα καθώς και η διάρκεια της ασφαλούς επικοινωνίας. Τέλος μελετήθηκαν οι βασικές αρχές για την προστασία από εξωτερικές παρεμβολές λόγω ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας καθώς και οι απαιτήσεις από εξωτερικά κυκλώματα για την ικανοποίηση των ηλεκτρικών απαιτήσεων της κάρτας.

Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document