Представлены результаты разработки базовых технологических процессов, используемых при получении мощных полевых транзисторов и МИС СВЧ-диапазона на основе GaN и GaAs, таких как: выращивание гетероструктур методом МЛЭ, металлизация и отжиг омических контактов, травление мезаизоляции, затворная металлизация, пассивация диэлектриком и др. Обсуждаются основные проблемы и пути их решения, в том числе особенности технологических процессов глубокого плазмохимического травления для формирования сквозных металлизированных отверстий в SiC и GaAs. Отдельное внимание уделено вопросам обеспечения однородности и воспроизводимости и их влиянию на выход годных структур. Продемонстрированы результаты использования ряда технологических процессов в производственном цикле АО «Светлана-Рост» и других предприятий радиоэлектронной промышленности.
The paper presents the results of the development of basic technological processes used in the production of microwave high-power field-effect transistors based on GaN and GaAs such as: MBE growth, metallization and annealing of ohmic contacts, etching of mesa insulation, gate metallization, passivation by dielectric etc. The main problems and solutions including features of technological processes of deep plasma-chemical etching in SiC and GaAs have been discussed. Special attention is paid to the issues of uniformity and reproducibility and their impact on the yield of structures. The results of the use of technological processes in the production cycle of Svetlana-Rost JSC and other enterprises of the radio-electronic industry have been demonstrated.
Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
