Показаны результаты применения отечественного оборудования (ЗАО «НТО») для разработки и проведения ключевых технологических операций при изготовлении мощных полевых транзисторов и МИС СВЧ-диапазона на основе GaN и GaAs. Обсуждаются особенности и результаты оптимизации технологических установок для таких операций, как выращивание гетероструктур методом МЛЭ, нанесение контактной и затворной металлизации при помощи электронно-лучевого напыления, отжиг омических контактов, травление меза-изоляции и нанесение диэлектрика при помощи плазмохимических методов. Кроме того, представлены особенности установок и технологических процессов глубокого плазмохимического травления для формирования сквозных металлизированных отверстий в SiC и GaAs, а также прецизионного травления GaN и GaAs. Продемонстрированы технологические результаты использования оборудования ЗАО «НТО» в производственном цикле АО «Светлана-Рост».
The paper highlights the results of using domestic equipment (SemiTEq JSC) for the development and implementation of key technological operations for producing GaN and GaAs based power microwave transistors. Features and results of optimization of the technological equipment have also been discussed for such operations as: MBE growth of heterosructures, deposition of the contacts and gate metallization using electron beam evaporation and ohmic contacts annealing, plasma etching of mesa isolation and PECVD of the dielectric. In addition, the features of systems for deep plasma etching of SiC and GaAs as well as GaN and GaAs precision etching have been presented. The technological results of using SemiTEq equipment in the production cycle of Svetlana-Rost JSC have been demonstrated.
Room Temperature Plasma-Etching and Surface Passivation of Far-Ultraviolet Al Mirrors Using Electron Beam Generated Plasmas
