Determination of temperature distribution in three-dimensional integrated circuits (3D ICs) with unequally-sized die

2013 ◽  
Vol 56 (1-2) ◽  
pp. 176-184 ◽  
Author(s):  
Leila Choobineh ◽  
Ankur Jain
2019 ◽  
Vol 2019 (1) ◽  
pp. 000268-000273
Author(s):  
Naoya Watanabe ◽  
Yuuki Araga ◽  
Haruo Shimamoto ◽  
Katsuya Kikuchi ◽  
Makoto Nagata

Abstract In this study, we developed backside buried metal (BBM) layer technology for three-dimensional integrated circuits (3D-ICs). In this technology, a BBM layer for global power routing is introduced in the large vacant area on the backside of each chip and is parallelly connected with the frontside routing of the chip. The resistances of the power supply (VDD) and ground (VSS) lines consequently decrease. In addition, the BBM structure acts as a decoupling capacitor because it is buried in the Si substrate and has metal–insulator–silicon structure. Therefore, the impedance of power delivery network can be reduced by introducing the BBM layer. The fabrication process of the BBM layer for 3D-ICs was simple and compatible with the via-last through-silicon via (TSV) process. With this process, it was possible to fabricate the BBM layer consisting of electroplated Cu (thickness: approximately 10 μm) buried in the backside of the CMOS chip (thickness: 43 μm), which was connected with the frontside routing of the chip using 9 μm-diameter TSVs.


2019 ◽  
Vol 16 (10) ◽  
pp. 909-916
Author(s):  
Jin-Hong Park ◽  
Munehiro Tada ◽  
Hyun-Yong Yu ◽  
Duygu Kuzum ◽  
Yeul Na ◽  
...  

Author(s):  
Je-Hyoung Park ◽  
Ali Shakouri ◽  
Sung-Mo Kang

CMOS VLSI technology has been facing various technical challenges as the feature sizes scale down. To overcome the challenges imposed by the shrink of the conventional on-chip interconnect system in IC chips, alternative interconnect technologies are being developed: one of them is three dimensional chips (3D ICs). Even though 3D IC technology is a promising solution for interconnect bottlenecks, thermal issues can be exacerbated. Thermal-aware design and optimization will be more critical in 3D IC technology than conventional planar IC technology, and hence accurate temperature profiles of each active layer will become very important. In 3D ICs, temperature profile of one layer depends not only on its own power dissipation but also on the heat transferred from other layers. Thus, thermal considerations for 3D ICs need to be done in a holistic manner even if each layer can be designed and fabricated individually. Conventional grid-based temperature computation methods are accurate but are computationally expensive, especially for 3D ICs. To increase computational efficiency, we developed a matrix convolution technique, called Power Blurring (PB) for 3D ICs. The temperature resulting from any arbitrary power dissipation in each layer of the 3D chip can be computed quickly. The PB method has been validated against commercial FEA software, ANSYS. Our method yields good results with maximum error less than 2% for various case studies and reduces the computation time by a factor of ∼ 60. The additional advantage is the possibility to evaluate different power dissipation profiles without the need to re-mesh the whole 3D chip structure.


2019 ◽  
Author(s):  
Παναγιώτης Γεωργίου

Διανύουμε ήδη την εποχή του "Ίντερνετ των Πραγμάτων". Οι κοινές συσκευές που χρησιμοποιούμε καθημερινά, συνδέονται μεταξύ τους και γίνονται "εξυπνότερες" με ραγδαίους ρυθμούς. Σε κάθε τέτοια συσκευή βρίσκεται ένα Σύστημα σε Ολοκληρωμένο (Systems-On-Chip ή SoC). Το SoC εξελίσσεται συνεχώς, για να ικανοποιηθούν οι συνεχώς αυξανόμενες απαιτήσεις της νέας εποχής. Τα τρι-διάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα (three-dimensional integrated circuits - 3D-ICs) είναι μια υποσχόμενη λύση για να ικανοποιήσουν τις απαιτήσεις τις νέας εποχής και φαίνεται να εξασφαλίζουν τη συνέχιση του Νόμου του Moore στο άμεσο μέλλον. Τα 3D-ICs πετυχαίνουν υψηλότερη πυκνότητα πυλών και καλύτερη απόδοση από τα συμβατικά SoC και μειώνουν το κόστος διασύνδεσης και κατανάλωσης. Πρόσφατα, οι κατασκευαστικές εταιρείες ολοκληρωμένων συστημάτων κυκλοφόρησαν προϊόντα βασισμένα σε 3D-ICs. Η έρευνα αυτή εστιάζει στην ανάπτυξη νέων αρχιτεκτονικών μηχανισμού πρόσβασης ελέγχου (Test Access Mechanisms - TAMs) και νέων μεθόδων χρονοπρογραμματισμού ελέγχου ορθής λειτουργίας για 3D-SoCs, οι οποίες εκμεταλλεύονται την υψηλή ταχύτητα που προσφέρουν οι ειδικές κάθετες διασυνδέσεις μέσω-πυριτίου (Through Silicon Vias - TSVs), ενώ η κατανάλωση ισχύος και η θερμότητα πρέπει να διατηρηθούν κάτω από ορισμένα επίπεδα. Εισάγουμε μία νέα αρχιτεκτονική TAM για 3D SoCs, η οποία ελαχιστοποιεί το χρόνο ελέγχου ορθής λειτουργίας, το πλήθος των TSVs και τις γραμμές της αρχιτεκτονικής TAM που χρησιμοποιούνται για να μεταφερθούν τα δεδομένα ελέγχου. Ο χρονοπρογραμματισμός του ελέγχου ορθής λειτουργίας υπολογίζεται από μία αποδοτική μέθοδο χρονικής πολυπλεξίας και μία πολύ αποδοτική μέθοδο βελτιστοποίησης που βασίζεται στους αλγορίθμους rectangle-packing και simulated-annealing. Πειραματικά αποτελέσματα δείχνουν έως και 9.6 φορές εξοικονόμηση στο χρόνο ελέγχου με την προτεινόμενη μέθοδο, ειδικά κάτω από αυστηρά όρια για την κατανάλωση ισχύος και τη θερμότητα. Η προηγούμενη μέθοδος είναι συμβατή μόνο με TAMs που βασίζονται σε αρτηρίες (buses), οι οποίες απαιτούν διασυνδέσεις μεγάλου μήκους και πολλά buffers σε κάθε επίπεδο του 3D-IC, επομένως δεν καταφέρνουν να εκμεταλλευτούν πλήρως τις υψηλές συχνότητες των TSVs. Προτείνουμε μία νέα αρχιτεκτονική TAM βασισμένη στη χρονική πολυπλεξία, που χρησιμοποιεί σειριακές αλυσίδες (daisy-chains) για να ξεπεράσουμε τους περιορισμούς της προηγούμενης μεθόδου. Η μέθοδος αυτή προσφέρει μεγαλύτερα κέρδη όσον αφορά το χρόνο ελέγχου ορθής λειτουργίας και το κόστος διασύνδεσης. Η έρευνα αυτή εστιάζει στη βελτίωση ανίχνευσης σφαλμάτων συσκευών βασιζόμενων σε επεξεργαστή. Οι ολοένα αυξανόμενες απαιτήσεις της αγοράς για υψηλότερη υπολογιστική απόδοση σε μικρότερο κόστος και χαμηλότερη κατανάλωση ισχύος, οδηγεί τους κατασκευαστές στην ανάπτυξη νέων μικροεπεξεργαστών, που εισάγουν νέες προκλήσεις στον έλεγχο συσκευών βασιζόμενων σε επεξεργαστή. Η ανάγκη ελέγχου των συσκευών αυτών κατά τη διάρκεια της κανονικής τους λειτουργίας, επιβάλλουν τη συμπληρωματική χρήση μεθόδων ελέγχου που δεν επηρεάζουν τη λειτουργία, όπως ο «αυτοέλεγχος βασισμένος σε λογισμικό» (Software-Based Self-Test - SBST). Οι περισσότερες τεχνικές SBST στοχεύουν μόνο το μοντέλο σφαλμάτων stuck-at, που δεν αρκεί για την ανίχνευση πολλών σφαλμάτων. Επίσης, οι τεχνικές SBST απαιτούν εκτενή ανθρώπινη ενασχόληση με μεγάλους χρόνους ανάπτυξης των προγραμμάτων ελέγχου. Επιπλέον, περιλαμβάνουν την κοστοβόρα, από άποψη υπολογιστική ισχύος, εξομοίωση σφαλμάτων SoCs με εκατομμύρια πύλες για εκατομμύρια κύκλους ρολογιού, χρησιμοποιώντας πολλαπλά μοντέλα σφαλμάτων και εξειδικευμένους λειτουργικούς εξομοιωτές. Εισάγουμε την πρώτη μέθοδο που δεν μεροληπτεί υπέρ κάποιου συγκεκριμένου μοντέλου σφαλμάτων. Η μέθοδος αυτή προσφέρει σύντομο χρόνο δημιουργίας προγραμμάτων ελέγχου, υπό αυστηρό περιορισμό στο χρόνο ελέγχου ορθής λειτουργίας και στο μέγεθος των προγραμμάτων ελέγχου. Τα προγράμματα ελέγχου αξιολογούνται από μία νέα αποδοτική πιθανοτική μέθοδο SBST, εκμεταλλευόμενη την αρχιτεκτονική του επεξεργαστή, καθώς και τη netlist του επεξεργαστή σε επίπεδο πυλών που έχει προκύψει από σύνθεση. Η προτεινόμενη μετρική που βασίζεται στα output deviations είναι πολύ γρήγορη καθώς δεν απαιτεί τη χρονοβόρα διαδικασία της εξομοίωσης σφαλμάτων και μπορεί να εφαρμοστεί σε οποιαδήποτε μέθοδο που βασίζεται στην τεχνική SBST.


2010 ◽  
Vol 132 (2) ◽  
Author(s):  
Huy N. Phan ◽  
Dereje Agonafer

Presently, stack dice are used widely as low-power memory applications because thermal management of 3D architecture such as high-power processors inherits many thermal challenges. Inadequate thermal management of three-dimensional integrated circuits (3D-ICs) leads to reduction in performance, reliability, and ultimately system catastrophic failure. Heat dissipation of 3D systems is highly nonuniform and nonunidirectional due to many factors such as power architectures, transistors packing density, and real estate available on the chip. In this study, the development of an experimental model of an active cooling method to cool a 25 W stack-dice to approximately 13°C utilizing a multidimensional configured thermoelectric will be presented.


Sign in / Sign up

Export Citation Format

Share Document