Проведен анализ известных методов синтеза шихты ниобата лития, легированной бором, которая используется при выращивании монокристаллов высокого оптического качества методом Чохральского. Установлено, что способ гомогенного легирования (шихта получается из прекурсора NbO :B и LiCO) по сравнению с твердофазным (шихта получается из смеси LiCO: NbO : HBO ) позволяет выращивать кристаллы LiNbO: B с более однородным распределением в них примеси бора, а также в объеме расплава, при этом упрощаются технологические режимы, устанавливаемые при росте кристаллов. В работе впервые рассмотрен жидкофазный метод синтеза шихты, исключающий стадию прокалки гомогенизированной смеси пентаоксида ниобия и карбоната лития. Результаты имеют важное значение при выборе технологии выращивания легированных бором монокристаллов ниобата лития для конкретных областей техники.
Known methods of a boron doped lithium niobate charge synthesis were analyzed. Such a charge is applied for the growth by Czochralski of single crystals with high optical quality. Homogeneous doping (the charge is obtained from precursor NbO:B and LiCO) was compared with solid phase doping (the charge is obtained from the mixture LiCO: NbO: HBO). Homogeneous doping was determined to help produce LiNbO: B crystals with a more uniform distribution of a boron dopant, boron distributes more uniform in the melt volume; technological regimes established during crystal growth become easier. For the first time the paper considers liquid-phase charge synthesis method; the method excludes the stage of annealing of homogenized mixture of niobium pentoxide and lithium carbonate. Results are crucial for the choice of technology at growing of boron doped lithium niobate crystals for exact areas of technics.
ANALYSIS OF METHODS FOR SYNTHESIS OF A BORON-DOPED LITHIUM NIOBATE CHARGE USED FOR GROWING SINGLE CRYSTALS
