ВЛИЯНИЕ ЭНЕРГИИ НЕЙТРОНОВ НА СЕЧЕНИЕ ОДИНОЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В МОЩНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ
Исследованы локальные ионизационные эффекты в мощных МОП-транзисторах при облучении нейтронами различных энергий. Рассмотрено влияние энергии нейтронов и поданного на транзистор напряжения на сечение одиночных событий. Оценена пороговая энергия нейтронов, при которой в исследуемом типе транзисторов регистрируется данный тип радиационных эффектов. The paper highlights local ionizational effects in powerful MOS transistors at irradiation by neutrons of various energy. The authors consider the influence of energy of neutrons and transistor voltage on SEU cross section, as well as estimate threshold energy of neutrons at which there are ionizational effects in the explored type of transistors.