Выполнены первопринципные расчеты структуры и свойств орторомбического графена L и нового алмазоподобного бислоя, формируемого на его основе. Расчеты методом теории функционала плотности показали, что графен L, состоящий из топологических дефектов Стоуна-Уэльса, должен устойчиво существовать при нормальных условиях, и его структура должна волнообразно гофрироваться. При сильном одноосном сжатии бислойного графена L может происходить формирование нового алмазоподобного бислоя DL. Давление фазового перехода «L → DL» составляет 10,1 ГПа, когда межслоевое расстояние в бислойном графене уменьшается до 1,61 Å. Этот бислой имеет орторомбическую кристаллическую решетку (pbam) с параметрами a = 10,145 Å и b = 5,270 А. Элементарная ячейка бислоя DL pbam содержит 32 атома углерода. Длины связей изменяются в интервале от 1,5590 до 1,6226 Å, тогда как углы между связями принимают значения от 89,62 до 140,8°. Структура алмазоподобного бислоя должна быть стабильна до 270 К. Рассчитанные значения поверхностной плотности и разностной полной энергии этого бислоя относительно полной энергии алмаза равны 1,19·10 г/см и 1,31 эВ/атом, соответственно. Бислой DL pbam должен быть полупроводником с шириной прямой запрещенной зоны 1,63 эВ.
Irst-principle calculations of the structure and properties of orthorhombic L graphene and a novel diamond-like bilayer formed on its basis are performed. The calculations using the density functional theory method showed that L- graphene of Stone-Wales defects should exist stably under normal conditions, and its structure should be corrugated in a wave-like manner. Under strong uniaxial compression of bilayer L graphene, the formation of the novel diamond-like DL bilayer can occur. The pressure of the « L → DL» phase transition is 10,1 GPa, when the interlayer distance in bilayer graphene decreases to 1,61 Å. This bilayer has an orthorhombic crystal lattice (pbam) with the parameters a = 10,145 Å and b = 5,270 Å. The unit cell of the DL- pbam bilayer contains 32 carbon atoms. The bond lengths vary in the range from 1,5590 to 1,6226 Å, while the angles between these bonds range from 89,62 to 140,8°. The structure of the diamond-like bilayer should be stable up to 270 K. The calculated values of the surface density and the difference total energy of this bilayer relative to the diamond total energy are 1,19 -10 g/cm and 1,31 eV/atom, respectively. The DL pbam bilayer should be a semiconductor with a straight bandgap of 1,63 eV.