INTEGRATED BROADBAND AMPLIFIER FOR SYSTEM-ON-CHIPS WIRELESS DEVICES IN 65 NM CMOS PROCESS
2020 ◽
Vol 8
(4)
◽
pp. 037-044
С развитием беспроводных технологий появляется все большее количество малогабаритных мобильных устройств. Для функционирования таких устройств, требуются малогабаритные усилители мощности, позволяющие обеспечивать мощность в несколько мВт. Возрастающие требования к миниатюризации приводят к необходимости разработки устройств типа система-на-кристалле, в которых на одной подложке размещены все блоки сложного устройства. В статье описан широкополосный усилитель мощности частотного диапазона 100 МГц…2.5 ГГц, разработанный в технологическом процессе 65 нм. Выходная мощность составляет 2 мВт, ток потребления 40 мА. Выходной КСВ не превышает 2, выходное сопротивление составляет 50 Ом.
Keyword(s):
2018 ◽
Vol 138
(1)
◽
pp. 41-49
Keyword(s):
2009 ◽
Vol E92-C
(2)
◽
pp. 258-268
◽
2017 ◽
Vol MCSP2017
(01)
◽
pp. 7-10
◽
Keyword(s):