ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ СБОЕУСТОЙЧИВЫХ СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ЛОГИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ КМОП СБИС СНК
Проанализированы асимптотические параметры быстродействия нанометровых (суб-100 нм) КМОП-технологий объемного кремния (ОК) уровня 90-28 нм. Показано, что сбоеустойчивость логических цепей при воздействии отдельных ядерных частиц (ОЯЧ) зависит от частоты синхронизации СБИС и ухудшается при ее повышении. Даны рекомендации по проектированию сбоеустойчивых быстродействующих логических цепей в составе СБИС типа «система на кристалле» (СнК). The paper deals with asymptotic performance parameters of nanometer-CMOS technologies at a level of90-28 nm. It is shown that the single nuclear particle tolerance of logical circuits depends on the clock frequency of the VLSI circuit and worsens with its increase. Recommendations are given on the design of heavy-ion tolerant high-speed logic circuits in the system-on-chip (SoC) type VLSI.